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RRAM会是下一代存储技术么?

发布时间:2017-12-29

  RRAM将成为下一代存储技术?

  [每日技术网]闪存技术无疑是存储行业的主流。尽管现在所有的闪存阵列都代表了优化技术,但它们将会持续一段时间。但是,如果我们面对由大型SAN和NAS组成的数据仓库,那么闪存存储不适用于这些应用程序。面对每天产生的大量数据,势必需要一种新的存储方法。 Crossbar RRAM技术被广泛认为是当前非易失性存储器技术的强大替代品。 Crossbar技术可以在200平方毫米的芯片上存储数TB的数据,例如在小于邮票的集成电路上的250小时的高清电影和回放。凭借其简单的三层架构,可堆叠性和CMOS兼容性,Crossbar将逻辑和存储集成到技术节点上的单个芯片上,为传统或其他非易失性存储技术提供了无与伦比的存储容量。 Crossbar具有高容量和高速度的优点,或是下一代企业和数据中心存储系统的选择。 RRAM为MCU,SoC和FPGA提供低延迟,高性能,低功耗的嵌入式存储器,可穿戴和平板电脑的物联网,消费类电子产品,工业和汽车等低功耗和安全市场。 Crossbar技术可实现非常高密度的存储解决方案,包括:单个芯片上的Terabyte存储比DRAM的密度高40倍,性能和可靠性高达100倍更快的读取速度1,000倍更快的NAND写入耐用性比NAND支持高1,000倍耐高温数据中心和移动设备的环境交叉开关技术应用包括:消费类电子产品,移动电话和平板电脑将您的所有个人娱乐,数据,照片和信息结合在一个袖珍设备中。提供快速存储,回放,备份和存档。企业存储,SSD和云计算扩大了SSD的可靠性和容量。改善业务,数据中心和云存储系统的性能。物联网;工业互联网为工业和连接应用(如智能电表和恒温器)提供多年的电池寿命。温度范围大,在夏季和寒冷的冬季可以非常热,保持稳定。支持新型高度集成的SoC,可通过纽扣电池供电或通过太阳能,热能和简单的振动。可穿戴计算支持新一代的可穿戴计算,可实现大容量,低功耗的高容量存储。安全支付存储安全应用所需的密码和加密密钥,从高容量智能卡到高端移动处理器,用于非接触式支付。 Crossbar的全球投资者包括:Artiman,Correlation Ventures,KPCB,Tyche Partners,TAO Capital Partners,密歇根大学;在中国的投资者包括CBC Broadband Capital,元和控股,北极光风险投资,Fu和韩国投资伙伴有限公司2016年3月22日Crossbar宣布正式进入中国市场,并在上海设立新办事处。

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2017-12-29

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